类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：1.0A
　　最大漏源电压 (Vds)：100V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 1.1Ω（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散 (Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8

LTL1KHKFD 具备多项优异的电气和机械特性，适合各种中高功率应用需求。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗最小化，从而提高系统效率并减少散热需求。虽然其导通电阻略高于一些高性能 MOSFET，但在成本和性能之间实现了良好的平衡。
　　其次，该器件具有较高的漏源电压（Vds）额定值（100V），能够承受较高的电压应力，适用于多种 DC-DC 转换器和电池管理系统。此外，LTL1KHKFD 的栅源电压耐受范围为 ±20V，允许在较宽的控制电压范围内稳定工作，增强了设计的灵活性。
　　在热性能方面，SOP-8 封装提供了良好的散热能力，尽管其功率耗散额定值为 300mW，因此在高负载应用中需注意散热设计。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的场合。
　　另外，该 MOSFET 还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，适用于中高频的开关电源设计。其封装形式支持表面贴装技术（SMT），有利于自动化装配和高密度 PCB 布局。

LTL1KHKFD 适用于多种电子系统中的功率开关和控制电路。常见应用包括：小型电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、LED 驱动器以及工业自动化控制系统等。
　　在电源管理方面，LTL1KHKFD 可用于构建同步整流器或负载开关，以提高能效并减小电路体积。其低导通电阻和高耐压特性也使其成为电池供电设备中理想的功率开关元件。
　　在电机控制和继电器替代方案中，该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或电磁阀，其高可靠性与长寿命优势使其优于传统机械继电器。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载充电器和车灯控制系统等，满足车载环境中对稳定性和可靠性的严格要求。

Si2301DS, AO3400A, FDN304P