时间：2025/8/6 9:40:49
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IXYH24N90C3D1是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET晶体管，主要用于高功率、高频率的应用场景。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供优异的导通性能和较低的开关损耗。其主要设计目的是在电源转换系统中实现更高的效率和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：24A
最大漏源电压（VDS）：900V
导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：53nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Ptot）：125W
IXYH24N90C3D1具有多项显著的性能优势，包括低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。这些特点使其能够在高功率密度设计中发挥重要作用。该器件的导通电阻仅为0.36Ω，有效减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。
此外，IXYH24N90C3D1的工作电压范围高达900V，能够满足高电压应用的需求，同时具备较强的抗过载能力。其栅极电荷值较低（53nC），有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率。
IXYH24N90C3D1广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器和充电器等。其高耐压和低导通电阻的特点使其非常适合用于高效率的电源转换系统。
IXFH24N90Q2, IXYS IXGH24N90B3D1
