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W632GG6NB-12 发布时间 时间:2025/8/21 8:04:29 查看 阅读:9

W632GG6NB-12是一款由Winbond(华邦电子)制造的NAND闪存芯片,广泛应用于需要大容量存储的电子设备中。这款芯片以其高可靠性、高速读写性能和较低的功耗著称,适用于各种嵌入式系统和便携式设备。

参数

容量:256MB
  电压范围:2.7V至3.6V
  接口类型:8位NAND接口
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  最大读取速度:25MB/s
  最大写入速度:10MB/s

特性

W632GG6NB-12具有高容量存储能力,能够满足嵌入式系统和便携设备对数据存储的高要求。其低功耗设计使其在电池供电设备中表现优异。此外,该芯片采用先进的NAND闪存技术,具备高可靠性和较长的使用寿命。芯片内置的错误检测和纠正功能确保了数据的完整性和安全性。其TSOP封装形式不仅节省空间,还便于焊接和使用,适合各种电子产品的制造和设计需求。
  这款NAND闪存芯片支持多种操作模式,包括页编程、块擦除和随机读写等,能够灵活适应不同的应用需求。此外,W632GG6NB-12还具备较强的抗干扰能力和良好的环境适应性,能够在各种复杂的工作环境中稳定运行。

应用

W632GG6NB-12广泛应用于数码相机、MP3播放器、便携式游戏机、工业控制系统、嵌入式设备以及各种需要大容量非易失性存储的电子产品中。它还适用于需要高可靠性和高性能存储解决方案的汽车电子设备和通信设备。

替代型号

W25N01GV, K9F2G08U0B

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W632GG6NB-12参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格198 : ¥37.61470托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)