时间：2025/6/11 17:20:49
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LN1132P182MR-G 是一款由 Vishay 提供的双向 TVS（瞬态电压抑制）二极管。该器件主要用于保护敏感电子电路免受因雷击、负载切换或其他瞬态事件引起的过电压损害。它具有低电容和快速响应时间，非常适合高速数据线路和射频应用中的静电放电（ESD）保护。
该器件采用紧凑型 SOD-323FL 封装，适合表面贴装技术（SMT），能够在不显著增加电路板空间的情况下提供强大的保护功能。
额定电压：24V
峰值脉冲电流：±17.5A（tp=10/1000μs）
最大反向工作电压：24V
击穿电压：32V
最大箝位电压：49V
结电容：≤1.6pF
响应时间：≤1ps
漏电流：≤1μA（在最大反向工作电压下）
LN1132P182MR-G 具有以下显著特性：
1. 快速响应时间：能够以皮秒级别迅速响应瞬态电压，有效保护敏感元件。
2. 低电容设计：其极低的结电容（≤1.6pF）使其非常适合高速信号线和射频电路的应用。
3. 高浪涌能力：可承受高达 ±17.5A 的峰值脉冲电流，确保在极端条件下的可靠性。
4. 紧凑封装：采用 SOD-323FL 封装，有助于减少 PCB 占用空间。
5. 符合 AEC-Q101 标准：经过严格测试，满足汽车级应用要求。
6. RoHS 合规：环保且符合国际法规要求。
LN1132P182MR-G 主要应用于以下领域：
1. 汽车电子系统：例如 CAN 总线、LIN 总线和 MOST 系统的 ESD 和浪涌保护。
2. 数据通信接口：如 USB、HDMI 和 Ethernet 接口的保护。
3. 工业控制设备：保护传感器输入和输出端口。
4. 移动设备：智能手机、平板电脑等便携式设备中的射频前端保护。
5. 无线通信模块：如 Wi-Fi、蓝牙和 Zigbee 模块的天线端口保护。
LN1132P182MR-D, LN1132P182MR-K
