时间：2025/4/27 18:56:02
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HKG3AE103MG3BW(1KV103M) 是一款高性能的陶瓷电容器，属于多层片式陶瓷电容器（MLCC）系列。该器件采用先进的材料和制造工艺，具有高耐压、高容值稳定性以及低等效串联电阻（ESR）等特点，适用于需要高可靠性和稳定性的电路设计。其广泛应用于电源滤波、高频耦合、信号调制解调等领域。
这款电容器的工作电压高达1kV，适合在高压环境下使用，并且具备优异的温度特性和频率特性。
额定电压：1kV
电容量：103 (10nF)
容差：±20%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：表面贴装
尺寸：EIA 1812
介质材料：C0G (NP0)
直流偏压特性：低影响
绝缘电阻：大于1000MΩ
1. 高额定电压，可承受高达1kV的直流电压，适用于高压电路应用。
2. 采用C0G/NP0介质，具备极佳的温度稳定性和频率稳定性，温度系数接近零。
3. 表面贴装技术（SMT），便于自动化生产，提高装配效率。
4. 具有较低的ESR和ESL，能够有效减少高频下的能量损耗。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计，满足国际环保法规要求。
6. 尺寸紧凑，适合用于空间受限的设计环境。
7. 稳定的电气性能，适用于严苛的工业和军事应用环境。
1. 开关电源中的输入输出滤波。
2. 高频电路中的信号耦合与解耦。
3. 脉冲电路中的储能元件。
4. 电机驱动电路中的噪声抑制。
5. 工业控制设备中的电源稳定性保障。
6. 医疗电子设备中的隔离和保护功能。
7. 军用及航空航天领域的高压电路设计。
KEMET C1206C103M1RACTU
Vishay VJ1212C103M-XJ-L1
Taiyo Yuden GRM32DC103KE15
Murata GCM1885C103M81D
