时间：2025/8/14 0:45:50
阅读：16
LMUN5215DW1T1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款双极性晶体管阵列（双晶体管），内部集成了两个 NPN 型晶体管，并且每个晶体管的基极和发射极之间集成了偏置电阻。这种设计简化了外围电路，非常适合用于需要逻辑电平转换、开关控制以及放大应用的场合。LMUN5215DW1T1G 采用节省空间的 SOT-363 封装，适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。
晶体管类型：NPN 双晶体管（带偏置电阻）
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：50 V
最大功耗：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-363
基极-发射极电阻：10 kΩ（典型值）
集电极-发射极饱和电压：最大 300 mV（在 Ic = 100 mA）
电流增益（hFE）：160 - 800（根据不同工作电流）
频率响应：100 MHz（典型）
LMUN5215DW1T1G 的核心优势在于其集成化的偏置电阻设计，这使得它在逻辑控制电路中非常实用，减少了外部元件的数量，提高了电路的可靠性。每个晶体管的基极和发射极之间集成的电阻可以有效地将输入电压转换为基极电流，从而简化了驱动电路的设计。该器件的双晶体管结构允许它用于双路开关或并联工作以提高电流承载能力。
此外，LMUN5215DW1T1G 的低饱和电压（VCE(sat)）保证了在开关状态下较低的功耗，从而提高了效率并减少了热量产生。该晶体管的 hFE 值较高，意味着它可以在较低的基极电流下控制较大的集电极电流，非常适合用于放大电路或数字开关应用。
该器件采用 SOT-363 小型封装形式，适合用于空间受限的设计，例如移动设备、传感器模块、LED 控制、继电器驱动、逻辑电平转换等场景。其工作温度范围宽，可在恶劣环境中稳定工作。
LMUN5215DW1T1G 常用于需要双路晶体管开关或逻辑电平转换的应用中。典型应用包括 LED 驱动电路、微控制器外围接口电路、继电器和电机驱动电路、电源管理电路、信号放大器、逻辑电平转换器以及各种低功率开关电路。由于其内置偏置电阻，特别适合用于将数字信号转换为更高电流或电压的模拟信号，从而驱动负载如继电器、LED 或小型电机。
在数字系统中，LMUN5215DW1T1G 可用于缓冲器、驱动器和电平转换器，使得微控制器或其他逻辑电路能够驱动更高功率的外设。此外，它还可用于模拟放大器电路，作为前置放大器或缓冲放大器使用。
MUN5215DW1T1G, LMUN5214DW1T1G
