GA1812A390KXEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升电路效率并减少能耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,采用先进的半导体制造工艺,确保其在高频和高压环境下的稳定性和可靠性。
型号:GA1812A390KXEAR31G
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):390mΩ
总功耗(Ptot):225W
工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA1812A390KXEAR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:该芯片的最大漏源电压为 650V,能够在高压环境下可靠运行,适用于多种工业和汽车电子应用。
2. 低导通电阻:390mΩ 的导通电阻确保了较小的传导损耗,从而提高了整体系统的效率。
3. 快速开关性能:得益于先进的设计和制造工艺,该 MOSFET 具有快速的开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频应用。
4. 高电流承载能力:最大连续漏极电流高达 14A,使其能够应对大功率负载需求。
5. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃ 的宽温范围使其适应各种极端环境条件,满足严苛的应用要求。
6. 稳定性与可靠性:经过严格测试和验证,GA1812A390KXEAR31G 在长期使用中表现出优异的稳定性,降低了系统故障风险。
GA1812A390KXEAR31G 可用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,提高电源转换效率。
2. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的速度和方向。
3. DC-DC 转换器:实现高效的电压转换,适用于汽车电子、通信设备等领域。
4. 工业自动化:用作功率级驱动,控制各种工业设备的运行状态。
5. 太阳能逆变器:参与光伏系统的电力调节,优化能量利用效率。
6. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电保护及均衡管理。
IRFP250N, STP14NK65Z, FQA14N65S7