SM4953KC-TRG是一款由Sanken(三垦电气)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,常用于电源管理和开关应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于多种高性能电子设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
最大漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ
功率耗散(Pd):134W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
SM4953KC-TRG的主要特点包括其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高效率。此外,该MOSFET具有高开关速度,能够快速响应栅极信号,适用于高频开关应用。
该器件还具备良好的热稳定性和高功率耗散能力,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其TO-252(DPAK)封装形式适用于表面贴装技术(SMT),便于在PCB上安装和焊接。
SM4953KC-TRG的栅极驱动设计简单,能够在较宽的栅极电压范围内正常工作,适用于多种控制电路。
SM4953KC-TRG广泛应用于各种电源管理和开关电路中,包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源模块以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通损耗,该MOSFET特别适合用于高效率电源转换系统。
在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动工具和电池管理系统。此外,它还可用于LED照明驱动电路和太阳能逆变器等高功率应用。
Si4953CY, IRF150N, STP120NF30L, FDP120N30L