KTC3194-O-AT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,适用于各种开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,确保其具备低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性。KTC3194-O-AT通常用于电源管理电路、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
型号:KTC3194-O-AT
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大值,典型值为4mΩ)
栅极电荷(Qg):7nC
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
KTC3194-O-AT具有以下主要特性:
1,能够显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性和耐用性,支持长时间高负荷运行。
4. 良好的静电防护能力,确保在复杂环境下可靠运行。
5. 宽泛的工作温度范围,适应多种极端工况。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
KTC3194-O-AT广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和直流变换器(DC-DC Converter)中的功率开关。
2. 各类电机驱动和控制电路,例如步进电机或伺服电机。
3. 负载开关及保护电路,用于防止过流或短路。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换组件。
KTC3194G-AT, IRFZ44N, FDP5580