时间：2025/8/13 22:53:18
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LMUN5134DW1T1G是一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，由两个NPN晶体管组成，集成在一个封装中。该器件由安森美半导体（onsemi）制造，广泛应用于需要双晶体管配置的电路设计中，例如放大器、开关电路和逻辑门电路等。LMUN5134DW1T1G采用了先进的工艺技术，确保了器件的高可靠性与稳定性。其封装形式为TSSOP（薄型小尺寸封装），适合高密度PCB布局和表面贴装技术。
类型：NPN晶体管阵列
集电极-发射极电压（Vce）：50V
集电极电流（Ic）：100mA
功率耗散（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
晶体管数量：2
直流电流增益（hFE）：100至800（根据不同的工作电流）
过渡频率（fT）：100MHz
集电极-基极电压（Vcb）：50V
发射极-基极电压（Veb）：5V
LMUN5134DW1T1G具备多项优异特性，使其在各种电子电路设计中表现出色。首先，该器件的双晶体管结构可以实现紧凑的电路布局，节省PCB空间并简化设计。其次，晶体管的高电流增益（hFE）范围为100至800，具体数值取决于工作电流，能够满足不同应用对增益的需求。此外，该器件的过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频应用中具有良好的响应能力，适合用于射频和高速开关电路。
LMUN5134DW1T1G的封装形式为TSSOP，具有较小的体积和良好的散热性能，适合现代电子设备对小型化和轻量化的要求。同时，该器件的功率耗散为300mW，能够在较低功耗条件下工作，适合电池供电设备的应用。
在可靠性方面，LMUN5134DW1T1G的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其集电极-发射极电压（Vce）为50V，集电极电流（Ic）为100mA，适用于中等功率的放大和开关应用。此外，该器件的集电极-基极电压（Vcb）和发射极-基极电压（Veb）分别为50V和5V，确保了器件在各种工作条件下的安全性与稳定性。
最后，LMUN5134DW1T1G的制造工艺符合行业标准，具有良好的互换性和兼容性，能够与其他标准BJT器件无缝对接，方便用户进行替换和升级。
LMUN5134DW1T1G因其双晶体管结构和优异的性能，在多个领域具有广泛的应用。首先，它可以用于音频放大器电路，作为前置放大器或驱动放大器，提供稳定的增益和低噪声性能。其次，该器件适合用于开关电路，例如数字逻辑电路、继电器驱动电路和LED驱动电路等，能够实现快速的开关响应和较低的功耗。
此外，LMUN5134DW1T1G还可用于射频（RF）放大器和高频振荡器，其高过渡频率（fT）使其在高频信号处理中表现优异。在工业控制领域，该器件可用于传感器信号放大、电机控制和电源管理电路。在消费电子领域，它可应用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理和电源管理模块。
由于其紧凑的封装形式和表面贴装能力，LMUN5134DW1T1G也适合高密度PCB设计，广泛用于通信设备、汽车电子和自动化控制系统中。
BCX56-10, MMBT2907AWT1G, 2N3904, PN2222A
