类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　漏源击穿电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

TZR1R080A001采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件在高频开关应用中表现出色，具备快速开关速度和较低的开关损耗，能够有效减少功率转换过程中的能量损失。此外，其高耐压能力（100V）和大电流承载能力（80A）使其适用于各种高功率需求的场景。TZR1R080A001的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温，提高器件的稳定性和使用寿命。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，适用于严苛的工业环境。
　　TZR1R080A001的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种驱动电路设计，并具备较强的抗干扰能力。其在高温度环境下仍能保持稳定的电气性能，适合在高温运行条件下使用的电源系统中应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素材料设计，满足现代电子产品对环保的严格要求。

TZR1R080A001广泛应用于各类高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车车载充电器（OBC）等。其优异的导通性能和高频开关特性也使其成为服务器电源、通信电源、UPS不间断电源等高可靠性设备中的首选元件。此外，在工业自动化控制系统、智能电网设备以及新能源储能系统中，TZR1R080A001也展现出卓越的性能表现，能够有效提升整体系统的能效和稳定性。

SiHZ40N100DD, Infineon IPPB40N10N3GXTSA1, ON Semiconductor NTMFS5C428NWT