LMUN5114T1G 时间：2025/5/12 21:49:48 阅读：8

LMUN5114T1G 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）推出的高性能 N 沣道开关 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式为 SON（小外形无引脚），能够有效节省 PCB 空间并提高散热性能。
　　该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流电路以及电池供电设备等应用中。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：2.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：6nC（典型值）
　　总功耗：790mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SON-4

特性

LMUN5114T1G 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以减少传导损耗，从而提升整体效率。
　　2. 快速开关速度，得益于其较小的栅极电荷，可降低开关损耗。
　　3. 小型封装设计（SON-4），适合空间受限的应用环境。
　　4. 高电流承载能力，支持高达 2.8A 的连续漏极电流。
　　5. 宽工作温度范围，确保在极端环境下仍能可靠运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

LMUN5114T1G 可用于多种电子电路设计，包括但不限于以下应用场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
　　2. 同步整流电路，以提高效率并降低热量产生。
　　3. DC-DC 转换器，用于电压调节和管理。
　　4. 负载开关，用于动态控制不同负载的供电状态。
　　5. 电池供电设备中的功率管理模块。
　　6. 电机驱动器和 LED 驱动电路中的开关元件。