类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　最大输出功率：1300 W（脉冲）
　　工作电压：50 V
　　漏极电流：40 A（最大）
　　增益：17 dB（典型值）
　　效率：超过60%（典型）
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　封装类型：陶瓷气密封装
　　尺寸：约 40.6 mm x 20.3 mm x 6.4 mm
　　重量：约 18 克

RA30H1317M-01 采用先进的 GaN（氮化镓）HEMT 技术，提供极高的输出功率和效率，适用于高要求的射频应用。其高功率密度特性使其能够在紧凑的系统中实现强大的功率放大能力，同时保持良好的热稳定性。该器件的高效率设计可减少功耗和散热需求，提高系统的整体能效。此外，其宽频带匹配设计允许在多个频段内使用，提高了设计灵活性。RA30H1317M-01 的封装设计优化了热管理性能，确保在高功率操作下的长期可靠性和稳定性。
　　该晶体管具有出色的线性度和失真性能，适用于需要高信号保真度的应用，如基站通信、雷达系统和测试仪器。其高输入阻抗特性减少了对外部匹配网络的依赖，简化了电路设计。此外，该器件具有较高的抗失配能力，可在负载变化较大的情况下保持稳定运行。RA30H1317M-01 还具有良好的温度稳定性，能在广泛的环境温度范围内保持稳定的性能。

RA30H1317M-01 主要用于高性能射频功率放大器的设计，适用于多种通信和工业应用。典型应用包括蜂窝基站（如4G LTE和5G NR）、广播发射机、雷达系统、测试和测量设备、工业加热系统以及高功率射频信号源。该器件的高输出功率和高效特性使其成为需要高功率放大的关键组件。此外，RA30H1317M-01 也可用于射频能量应用，如微波加热和等离子体生成等工业用途。

RA30H1317M-01 可以被 RA30H1317M 或 RA30H1317M-02 替代，具体取决于应用需求和系统设计要求。