LMUN5113T1G 时间：2025/8/14 1:56:02 阅读：22

LMUN5113T1G是一种双极性晶体管（BJT）阵列，集成了两个NPN晶体管在一个封装中。该器件专为需要高增益、低噪声和高可靠性的应用而设计。LMUN5113T1G采用SOT-23封装，适合用于需要紧凑设计的电子设备。由于其高性能和小尺寸，该晶体管阵列广泛应用于音频放大、信号处理和逻辑电平转换等领域。

参数

晶体管类型：NPN双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于工作电流）
　　频率响应：100MHz
　　封装类型：SOT-23

特性

LMUN5113T1G具有多个显著特性，使其在各种电子电路中表现出色。首先，其高电流增益（hFE）范围为110至800，使得该晶体管能够有效放大微弱信号，适用于前置放大器和信号增强电路。其次，该器件的高频响应可达100MHz，适用于需要高速开关或高频信号处理的应用。此外，LMUN5113T1G集成了两个NPN晶体管，可以简化电路设计，减少PCB空间占用，提高系统的整体可靠性。
　　该晶体管阵列采用SOT-23封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在各种环境条件下工作。SOT-23封装也便于表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率和焊接可靠性。LMUN5113T1G的低饱和电压（VCE(sat)）特性使其在开关应用中功耗更低，有助于提高能效并减少发热。
　　此外，该器件的工作温度范围较宽，通常为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。其高可靠性和稳定性使其成为许多高要求应用中的首选晶体管阵列。LMUN5113T1G还具有良好的噪声性能，适合用于音频放大和低噪声前置放大电路。

应用

LMUN5113T1G广泛应用于多个电子领域。在音频设备中，它常用于前置放大器和音频信号增强电路，以提高音质和信号强度。在数字电路中，该晶体管阵列可用于逻辑电平转换和缓冲器设计，帮助实现不同电压域之间的信号传输。此外，LMUN5113T1G也适用于传感器接口电路，用于放大和处理来自传感器的微弱信号。
　　在工业自动化和控制系统中，LMUN5113T1G可用于驱动继电器、LED指示灯和小型电机等负载。由于其高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和仪表盘显示控制。在通信设备中，该晶体管阵列可用于射频信号放大和调制解调电路。