LDTA143YET1G 时间：2025/8/13 20:04:48 阅读：27

LDTA143YET1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件设计用于高频率放大和开关应用，具有良好的性能和可靠性，广泛应用于通信设备、射频电路、音频放大器和其他电子系统中。LDTA143YET1G 采用 SOT-23 封装，具有小尺寸和轻量化的特点，适合现代电子设备对空间和重量的要求。

参数

类型：NPN 晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：100MHz
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在 2mA 时为 110 到 800（取决于等级）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

LDTA143YET1G 晶体管具有多种优良特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其高增益带宽积（fT）达到 250MHz，使得该晶体管能够有效地工作在高频环境下，适合用于射频放大器和高速开关电路。其次，该器件的电流增益（hFE）范围较广，从 110 到 800，使得其能够适应不同的放大需求，提供稳定的增益性能。
　　此外，LDTA143YET1G 的最大集电极-发射极电压为 50V，最大集电极电流为 100mA，能够承受一定的电压和电流应力，适用于中等功率的应用场景。该晶体管的低噪声系数和高线性度也使其在射频和音频放大器中表现出色，能够提供清晰的信号放大效果。
　　该器件的 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且具有良好的热稳定性和机械强度，适合在各种环境条件下工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极端温度环境下稳定运行，满足工业级和汽车电子应用的要求。
　　LDTA143YET1G 的功耗较低，最大功耗为 300mW，有助于提高系统的能效并减少散热需求。这种低功耗特性使其在电池供电设备和便携式电子产品中尤为适用。