型号：2SB1268R
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.2A（@Ta=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@Vgs=-10V）；45mΩ（@Vgs=-4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：930pF（@Vds=-15V）
　　输出电容（Coss）：370pF（@Vds=-15V）
　　反向传输电容（Crss）：80pF（@Vds=-15V）
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@Vgs=-10V）
　　功耗（Pd）：2.5W（@Ta=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

2SB1268R具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在Vgs = -10V条件下，Rds(on)仅为35mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了能效表现，尤其适用于大电流应用场景。即使在较低的驱动电压（如-4.5V）下，其导通电阻仍保持在45mΩ以内，确保了在低压控制系统中的稳定性能。这种低Rds(on)得益于东芝先进的沟槽栅极制造工艺，优化了载流子迁移路径，减少了沟道电阻和积累层电阻的综合影响。
　　其次，2SB1268R具有优良的开关特性。其输入电容（Ciss）为930pF，输出电容（Coss）为370pF，反向传输电容（Crss）仅为80pF，这些参数保证了快速的开关响应能力和较低的驱动功耗。同时，栅极电荷（Qg）仅为13nC，意味着控制器只需提供较小的驱动电流即可完成快速开关动作，有助于减少驱动电路的设计复杂度和功耗。这一特性在高频开关电源和DC-DC变换器中尤为重要，可以有效降低开关损耗并提升系统效率。
　　再者，该器件采用了SOP-8封装，不仅体积小巧，便于在高密度印刷电路板上布局，还通过外露散热片设计增强了热传导能力。在自由空气环境中，其最大功耗可达2.5W，配合适当的PCB铜箔散热设计，可在较高环境温度下稳定运行。此外，2SB1268R具备良好的热稳定性，其正温度系数的阈值电压特性有助于多个器件并联使用时的电流均衡，避免局部过热问题。
　　最后，2SB1268R内置了栅极保护二极管，提供一定程度的ESD防护能力，提升了器件在装配和使用过程中的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业控制、汽车电子和便携式设备等多种严苛环境。总体而言，2SB1268R以其低导通电阻、优异开关性能、紧凑封装和高可靠性，成为现代高效电源管理系统中的理想选择。

2SB1268R广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。最常见的应用领域包括同步整流电路，特别是在降压型（Buck）或升压型（Boost）DC-DC转换器中作为高边或低边开关使用。由于其P沟道特性，无需额外的自举电路即可实现高边驱动，简化了电源设计，降低了系统成本和复杂度，因此在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中被广泛采用。
　　此外，2SB1268R也常用于电池供电系统的负载开关或电源通断控制。例如，在电池管理系统（BMS）或多电源切换电路中，利用其低导通电阻和快速响应能力，可有效减少待机功耗和电压跌落，延长电池续航时间。在电机驱动电路中，该器件可用于H桥结构中的高端开关，实现对直流电机的方向和速度控制。
　　在工业控制设备中，2SB1268R可用于继电器替代、固态开关和LED驱动电源等场合，凭借其高可靠性和长寿命优势，取代传统机械开关，提升系统稳定性。同时，由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也被应用于通信设备、消费类电子产品和嵌入式系统的电源模块中。总之，凡涉及中低功率、高效率、小体积要求的开关电源或功率控制场景，2SB1268R均是一个极具竞争力的解决方案。

TPC8103,HVN2701,SI2301DS,DMG2301U,MCH3314