IRFU420APB 是一款来自 Infineon(英飞凌)的 N 沟能耗型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用 TO-263 封装形式,具有较低的导通电阻和快速开关特性,可显著降低功耗并提升系统性能。
该 MOSFET 的设计使其能够在高频条件下工作,并保持较低的热损耗,非常适合对效率和散热要求较高的应用环境。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:29A
导通电阻:1.7mΩ
栅极电荷:80nC
总电容:1320pF
功耗:20W
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
IRFU420APB 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在大电流条件下仍能维持较低的传导损耗。
2. 快速开关速度,得益于其较小的栅极电荷和输出电荷,从而减少了开关过程中的能量损失。
3. 高效的散热设计,适合长时间运行的高功率应用。
4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
5. 支持表面贴装工艺(SMD),简化了 PCB 设计和制造流程。
6. 具备优异的雪崩能力和抗 ESD 性能,增强了器件的耐用性。
IRFU420APB 主要应用于以下电源(SMPS)中作为主功率开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率管理组件。
5. 各类工业自动化设备中的高效功率转换模块。
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
这些应用场景均利用了 IRFU420APB 在高频、高温条件下的稳定性和低损耗特性。
IRF420PBF, IRFZ44N, FDP16N50C