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PD1813NTR56 发布时间 时间:2025/12/26 3:07:29 查看 阅读:11

PD1813NTR56是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,专为高频开关应用设计。该器件基于先进的平面技术制造,具有低正向压降和快速反向恢复特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其封装形式为SOT-23(Small Outline Transistor),是一种三引脚塑料封装,适用于紧凑型电子设备中的空间受限布局。PD1813NTR56广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、续流与箝位电路以及信号整流等场景。由于其优异的热稳定性和可靠性,该器件可在较宽的工作温度范围内保持性能一致性,适合工业控制、消费类电子产品及便携式设备使用。此外,该产品符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)特性,满足现代绿色电子制造的要求。

参数

类型:双共阴极肖特基二极管
  极性:共阴极
  最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
  最大直流反向电压(VR):40V
  最大有效值电压(VRMS):28V
  最大平均整流电流(IO):300mA
  峰值浪涌电流(IFSM):1A
  正向压降(VF):典型值0.32V @ 10mA,最大值0.5V @ 100mA
  反向漏电流(IR):最大10μA @ 25°C,最大100μA @ 125°C
  反向恢复时间(trr):<1ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23
  安装类型:表面贴装

特性

PD1813NTR56的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结,从而实现更低的正向导通压降和更快的开关速度。在正常工作条件下,该器件的正向压降仅为0.32V左右(测试条件为10mA),相较于标准硅二极管可大幅减少功耗,提升能效。尤其在低电压、高频率的应用中,如便携式电池供电设备或高密度DC-DC转换模块,这种低损耗特性显得尤为关键。同时,由于没有少子存储效应,肖特基二极管具备极短的反向恢复时间(trr < 1ns),几乎不存在反向恢复电荷,因此在高频开关过程中不会产生明显的反向电流尖峰,有助于降低电磁干扰(EMI)并改善整体系统稳定性。
  该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管,共享一个阴极引脚,形成共阴极拓扑结构,非常适合用于双路同步整流、输入/输出保护或电压箝位电路。例如,在推挽式或半桥拓扑的DC-DC变换器中,共阴极配置可用于构建高效的续流路径。此外,SOT-23小型化封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,能够在有限的空间内实现较高的功率密度。PD1813NTR56经过严格的可靠性验证,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和温度循环测试,确保在严苛环境下的长期稳定运行。其材料兼容无铅回流焊工艺,支持自动化高速贴片生产,适合大规模制造需求。值得注意的是,尽管肖特基二极管具有诸多优点,但其反向漏电流相对较高,尤其是在高温环境下需注意热失控风险,因此在设计时应合理评估散热条件与工作电压裕量,避免长时间接近最大额定值操作。

应用

PD1813NTR56凭借其低正向压降、快速响应和小尺寸封装,被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域,它常用于低压DC-DC转换器中的同步整流替代方案或作为续流二极管,帮助提升转换效率并减少发热。在电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该器件可用于防止反向电流流动,保护敏感电路免受损坏。此外,在接口电路中,PD1813NTR56可充当瞬态电压抑制辅助元件,配合TVS管进行过压钳位,保护USB、I2C或GPIO线路不受静电放电(ESD)冲击影响。工业控制模块也常利用其快速响应特性,在继电器驱动或电机控制电路中提供反电动势泄放路径,防止高压击穿控制芯片。另外,因其具备良好的高频性能,该二极管也可用于射频信号检波、小信号整流及逻辑电平移位电路。得益于SOT-23封装的小型化特点,PD1813NTR56特别适用于高密度印刷电路板设计,例如通信模块、传感器节点和嵌入式控制器等对空间要求严格的场合。同时,该器件符合AEC-Q101车规级认证的潜在资格(具体需查阅最新规格书),使其有望拓展至汽车电子中的非动力域应用,如车载信息娱乐系统或车身控制单元。总体而言,PD1813NTR56是一款多功能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管,适用于需要高效、紧凑和快速响应的现代电子设计。

替代型号

[
   "RB751S-40",
   "BAT54C",
   "DSK24"
  ]

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