类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（典型值）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：S-Mini (UM-4)
　　极性：NPN
　　安装类型：表面贴装
　　

该晶体管具备卓越的高频性能，其过渡频率（fT）高达8GHz，使其在高频放大电路中表现出色，尤其适用于射频前端模块和宽带放大器设计。
　　采用S-Mini小型化封装，体积紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热传导性能，有助于提升系统整体稳定性。
　　具有宽范围的直流电流增益（hFE），典型值从70到700，可根据不同应用场景选择合适增益档位，确保电路设计灵活性和一致性。
　　低噪声特性使其适合用于微弱信号的前置放大，如无线接收机中的低噪声放大器（LNA）环节，有效提高信噪比和接收灵敏度。
　　具备较高的击穿电压参数（VCEO=50V，VCBO=70V），可在较宽的电源电压范围内稳定工作，增强了电路的适应能力和安全性。
　　集电极电流可达150mA，在同类小信号晶体管中属于较高水平，能够驱动一定的负载而不失真，适用于中等功率放大或驱动级应用。
　　功耗控制优秀，最大功耗为200mW，结合良好的热阻设计，可以在不加散热片的情况下长时间稳定运行。
　　支持高速开关操作，开关时间短，适用于脉冲放大、数字逻辑驱动及高频振荡电路等场景。
　　制造工艺采用硅外延平面技术，保证了器件的一致性、长期稳定性和抗环境应力能力，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。
　　符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造标准。

广泛应用于高频通信设备中的小信号放大电路，如FM收音机、无线遥控模块、蓝牙和Wi-Fi射频前端等场景，作为低噪声放大器或缓冲级使用。
　　适用于便携式电子产品，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的音频输出驱动或传感器信号调理电路。
　　可用于电视调谐器和有线电视（CATV）设备中的中频放大和视频信号处理部分，提供高保真信号传输。
　　在DC-DC转换器和开关电源中作为驱动晶体管，控制MOSFET栅极充放电，实现高效的能量转换。
　　适合用于各类消费类电子产品的脉冲宽度调制（PWM）控制电路、LED驱动电路以及继电器或蜂鸣器的开关控制。
　　在测试测量仪器中用于构建宽带放大器或射频检测电路，确保高频信号的精确还原。
　　也可作为通用放大器用于运算放大器输入级、差分对管配置或自激振荡器中的核心元件。
　　适用于工业自动化系统中的光电耦合器驱动、编码器信号放大等信号隔离与传输应用。
　　在汽车电子系统中用于车身控制模块、车载娱乐系统的小信号处理单元，具备良好的温度适应性和抗干扰能力。
　　凭借其小型封装和高性能，成为现代高集成度电子系统中理想的高频NPN晶体管解决方案之一。

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　　 "2SC5866",
　　 "2SC5866-TL-Q",
　　 "MMBT3904",
　　 "2N3904",
　　 "BC847B",
　　 "BC848B"
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