LMUN2212LT1 时间：2025/9/3 21:19:36 阅读：9

LMUN2212LT1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件专为需要高增益、低噪声和宽频率响应的应用而设计，适用于模拟信号放大、开关控制以及射频（RF）应用。LMUN2212LT1 采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。其设计确保了在高温和高电流条件下依然能够稳定工作。

参数

类型：NPN 双极晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：100~800（根据工作条件不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LMUN2212LT1 晶体管具有多项优异的电气性能和可靠性。首先，其高电流增益（hFE）范围为 100 到 800，使得它适用于多种放大电路设计，能够在不同偏置条件下提供稳定的增益性能。其次，该器件的过渡频率（fT）高达 100MHz，适合用于射频和中频放大器，具有良好的高频响应能力。
　　此外，LMUN2212LT1 具有较低的噪声系数，使其在低噪声放大器（LNA）中表现优异，适用于通信系统和音频放大器。该晶体管还具备较强的温度稳定性，可在 -55°C 至 +150°C 的工业温度范围内可靠工作，适用于恶劣环境下的电子设备。
　　由于其 SOT-23 小型封装形式，LMUN2212LT1 在空间受限的电路板设计中非常实用。同时，该封装具备良好的热性能，有助于热量的有效散发。此外，其最大集电极电流为 100mA，功率耗散为 300mW，确保在中等功率应用中的稳定运行。

应用

LMUN2212LT1 主要用于以下类型的电路中：音频放大器、射频放大器、开关电路、逻辑电平转换器、信号缓冲器以及低噪声放大电路。在消费类电子产品中，它常用于便携式设备的音频前置放大器；在工业控制系统中，可用于传感器信号的放大与处理；在通信设备中，适用于中频和射频段的信号放大。此外，它也可用于模拟电路中的开关元件，控制 LED、继电器等负载。