时间：2025/9/14 8:16:30
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PESD1LIN.115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的单线静电放电（ESD）保护二极管，专为高速数据线和通信接口设计。该器件提供高效的瞬态电压抑制功能，能够在恶劣的电磁环境中保护敏感的电子元件不受静电放电和浪涌电压的损害。PESD1LIN.115 采用小型SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。
类型：ESD保护二极管
通道数：1
工作电压：5.0 V
最大反向关态电压（VRWM）：5.0 V
钳位电压（Vc）：10.5 V（@ Ipp = 1 A）
最大峰值脉冲电流（Ipp）：1 A
漏电流（IR）：最大100 nA
封装形式：SOT-23
PESD1LIN.115 提供卓越的静电放电保护性能，能够承受IEC 61000-4-2标准中定义的±30 kV接触放电和±30 kV空气放电。其低钳位电压特性确保在发生ESD事件时，传输到下游电路的能量极小，从而降低损坏风险。此外，该器件具有非常低的电容（通常为1.5 pF），非常适合用于高速信号线路，如USB、HDMI、以太网和其他高频通信接口。
另一个显著优点是其快速响应时间，PESD1LIN.115 能在纳秒级时间内对瞬态电压做出反应，确保电路在ESD事件中保持稳定运行。其SOT-23封装设计节省空间，便于在高密度PCB布局中使用。此外，该器件无铅且符合RoHS标准，适合现代环保电子制造需求。
PESD1LIN.115 常用于消费类电子、工业控制设备、通信模块和便携式电子产品中的信号线保护。典型应用包括USB接口、音频/视频信号线、RS-485、CAN总线、以及以太网端口等需要高速信号完整性和高可靠性的场合。该器件也适用于需要符合EMC法规的系统，提供额外的电磁干扰（EMI）抑制功能。
PESD1LIN.115的替代型号包括TI的TPD1E01BA04和STMicroelectronics的ESDLC5-1BU4。这些器件在封装、工作电压和ESD保护能力方面具有相似的性能，适用于替代设计中的直接替换或兼容性升级。
