时间：2025/7/4 20:37:03
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RF15NR75B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频射频应用设计。该器件采用增强型工艺制造，具有高功率密度和卓越的射频性能。其出色的线性度和效率使其成为通信系统、雷达和其他高性能射频应用的理想选择。
该型号支持高达 50V 的漏源电压，并且能够在较高的频率范围内保持稳定的性能表现。此外，RF15NR75B500CT 采用紧凑型封装设计，便于集成到各种射频电路中。
漏源电压：50V
栅源电压：±8V
最大漏极电流：12A
输出功率：50W
工作频率范围：DC - 6GHz
导通电阻：75mΩ
热阻：0.3°C/W
封装类型：表面贴装
RF15NR75B500CT 提供了多种突出的性能特点，包括但不限于以下几点：
1. 高效的射频能量转换能力，适用于高频应用环境。
2. 氮化镓技术带来了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，有助于减少整体系统的体积和重量。
3. 增强型 GaN HEMT 设计确保了器件在高频下的稳定性以及较低的失真率。
4. 出色的热管理能力，使得该器件即使在较高功率下也能保持可靠运行。
5. 支持宽禁带半导体材料，具备更优的电气性能和更低的功耗水平。
RF15NR75B500CT 广泛应用于各类高频射频场景，主要包括：
1. 无线通信基础设施，如 5G 基站和微波链路设备。
2. 雷达系统，例如气象雷达和军事雷达。
3. 卫星通信和射频放大器模块。
4. 医疗成像设备中的高频信号处理部分。
5. 工业科学医疗 (ISM) 领域中的射频能量应用。
RF15NR75B400CT, RF15NR50B500CT
