TMS2516JL-35是一种静态随机存取存储器(SRAM),由德州仪器(Texas Instruments)制造。该SRAM芯片具有16K位的存储容量,组织为2K×8位。TMS2516JL-35广泛应用于需要高速数据访问和低功耗的场合,例如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。其封装形式为28引脚双列直插式封装(DIP),适用于标准的印刷电路板(PCB)设计和制造流程。
容量:16K位
组织结构:2K×8位
访问时间:35ns
电源电压:5V
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:28引脚双列直插式封装(DIP)
TMS2516JL-35具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片的访问时间为35ns,能够提供快速的数据读写操作,确保系统的高效运行。TMS2516JL-35采用CMOS技术制造,具有较低的功耗特性,适合在对功耗敏感的系统中使用。此外,该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),能够适应恶劣的工作环境,保证在各种工业应用中的可靠性和稳定性。
TMS2516JL-35的28引脚双列直插式封装(DIP)设计使得它易于安装和更换,适用于原型设计和小批量生产。该封装形式还支持自动插件机的使用,提高了生产效率和可靠性。芯片的地址和数据引脚布局合理,简化了电路设计和布局,减少了信号干扰和噪声的影响,提高了系统的整体性能。此外,TMS2516JL-35还具有较高的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂电磁环境中保持良好的工作状态。
TMS2516JL-35广泛应用于各种需要高速SRAM存储器的场合,如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和测试仪器。在嵌入式系统中,TMS2516JL-35可以作为高速缓存或临时数据存储单元,提高系统的运行效率。在工业控制设备中,该芯片可以用于存储控制程序和实时数据,确保设备的稳定运行。通信设备中使用TMS2516JL-35可以实现高速数据缓冲和处理,提高数据传输的效率和可靠性。此外,TMS2516JL-35还适用于测试仪器,如示波器和逻辑分析仪,用于存储测试数据和中间结果,确保测试的准确性和可靠性。
TMS2516JL-45, CY6216BLL-35DC, IDT71256SA55B