时间：2025/8/6 11:28:08
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IXFK100N10 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率电子设备中，例如电源转换器、电机控制和开关电源系统。该器件具有高耐压能力、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于高效率和高可靠性的电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值 7.5mΩ（典型值 6.8mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247AC
功率耗散（PD）：300W
IXFK100N10 的主要特性包括其高耐压和低导通电阻的结合，使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。此外，它具有快速的开关速度，能够有效减少开关损耗，从而提高整体系统效率。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于恶劣的工作条件。其 TO-247AC 封装形式便于安装在散热器上，提高了散热性能。
另外，IXFK10N10 设计有内置的静电放电（ESD）保护功能，能够防止因静电而引起的损坏，提高器件的可靠性和使用寿命。
IXFK100N10 常用于需要高功率处理能力的电路中，例如直流-直流转换器、交流-直流电源供应器、电机驱动和逆变器系统。此外，它还适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）中，作为高效的功率开关元件。
由于其快速的开关特性和低导通电阻，IXFK100N10 在高频开关应用中表现尤为出色，能够有效减少能量损耗并提高系统效率。
在电机控制应用中，该器件能够提供稳定的电流控制，确保电机运行的平稳性和可靠性。
IRF1405, STP100N10F7, FDP100N10
