LMUN2137LT1G 时间：2025/8/15 19:49:06 阅读：24

LMUN2137LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列，采用双晶体管配置，包含两个NPN晶体管。该器件主要用于需要高增益、低噪声和高频性能的模拟电路设计中。LMUN2137LT1G采用了先进的制造工艺，确保了稳定的性能和较低的失真，适用于放大、开关和信号处理等应用场景。该器件采用SOT-23（SC-59）小型封装，便于在紧凑的PCB设计中使用。

参数

类型：NPN双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　增益带宽（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值，典型值300）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

特性

LMUN2137LT1G具有多项优异特性，使其在模拟和数字电路中表现出色。首先，其双晶体管配置可以用于构建差分放大器、推挽输出级或并联晶体管以提高电流承载能力。该器件的高增益带宽积（100MHz）使其适用于高频放大应用，例如射频（RF）前置放大器或视频放大器。
　　其次，LMUN2137LT1G的电流增益（hFE）具有良好的一致性，确保电路在不同工作条件下保持稳定性能。其hFE最低值为110，典型值可达300以上，适合用于高增益放大器和开关电路。
　　此外，该晶体管阵列具有较低的噪声系数，适用于低噪声前置放大器的设计，例如音频放大器、传感器信号调理电路等。由于其SOT-23封装体积小巧，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业控制、消费电子和汽车电子等领域使用。
　　在制造工艺方面，LMUN2137LT1G采用先进的硅外延平面技术，确保器件具有优异的电气特性和长期稳定性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，满足工业级和汽车级应用的需求。

应用

LMUN2137LT1G广泛应用于各种电子系统中，尤其适合需要高增益、低噪声和高频性能的电路设计。常见应用包括：音频放大器的前置放大级、射频（RF）信号放大器、模拟开关电路、逻辑电平转换器、传感器信号调理电路、高速比较器和振荡器等。
　　在音频设备中，该器件可用于构建高保真前置放大器，提供低失真和高增益的信号放大。在射频电路中，它可作为中频或射频信号的前置放大器，提升信号强度并减少噪声干扰。
　　在数字电路中，LMUN2137LT1G可用于构建高速开关电路或电平转换器，适用于将低电压信号转换为高电压信号，或驱动继电器、LED、继电器线圈等负载。此外，其双晶体管结构也常用于构建达林顿对管，以实现更高的电流增益。
　　由于其小型SOT-23封装，LMUN2137LT1G也常用于便携式电子产品、智能传感器、嵌入式系统和汽车电子模块中。