封装尺寸：1206 (EIA)
　　电容值：4.7μF
　　容差：±10%
　　额定电压：10V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　介质材料：陶瓷（X7R类II）
　　端子类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　产品系列：1206B
　　制造商：AVX
　　RoHS合规：是

1206B475K100NT所采用的X7R型陶瓷介质是一种稳定的铁电材料，具有相对较高的介电常数，能够在较小的封装内实现较大的电容值。这种材料在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容值的变化不超过±15%，使其适用于对温度稳定性有一定要求但不需要NP0/C0G级别精度的应用场景。相比于C0G/NP0类I类陶瓷电容，X7R虽然存在一定的非线性电容-电压特性，但在成本与性能之间实现了良好的平衡，特别适合用于电源线路中的滤波和储能功能。
　　该电容器具备优异的频率响应特性，拥有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这有助于提升其在高频开关电源环境下的去耦效果，有效抑制电压纹波和瞬态干扰。同时，由于其结构为多层叠层设计，内部多个电极交错排列，进一步降低了寄生电感，增强了高频性能。在实际使用中，尤其是在DC-DC转换器或LDO稳压器的输入输出端，它可以快速响应负载突变带来的电流需求波动，稳定供电电压。
　　值得注意的是，像大多数高介电常数的Class II陶瓷电容器一样，1206B475K100NT的电容值会随着外加直流偏压的增加而明显减小。例如，在接近其额定电压10V时，实际可用电容可能仅为其标称值的50%甚至更低。因此，在进行电路设计时，必须查阅AVX官方提供的直流偏压特性曲线图，合理评估在工作电压下的有效电容是否满足系统需求。建议在关键滤波路径上选择更高额定电压或更大封装的产品以缓解这一问题。
　　此外，该器件采用镍阻挡层和锡涂层端子（Ni/Sn），不仅提高了焊接可靠性，还防止了银迁移现象的发生，增强了长期工作的稳定性。其符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，适用于绿色环保电子产品制造。整体而言，1206B475K100NT是一款性价比高、应用广泛的表面贴装陶瓷电容器，广泛用于各类需要中等电容值和良好温度稳定性的场合。

1206B475K100NT广泛应用于各类电子设备中的电源管理单元，特别是在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，作为DC-DC变换器的输入和输出滤波电容使用。其4.7μF的电容值配合10V额定电压，适合作为低压电源轨（如3.3V、2.5V、1.8V）的去耦电容，有效吸收高频噪声并平滑电源波动，保障数字IC（如微控制器、FPGA、ASIC）稳定运行。
　　在通信模块中，该电容器可用于射频前端电源的旁路处理，减少电源噪声对敏感模拟信号的影响。同时，在工业控制板、嵌入式系统主板以及电源适配器PCB上，它也常见于LDO稳压器输出端，用于改善瞬态响应能力和降低输出纹波。此外，由于其表面贴装形式和标准化尺寸，非常适合自动化高速贴片生产线，提升了制造效率和一致性。
　　在汽车电子领域，尽管该型号并非专为AEC-Q200认证设计，但在非关键车载应用（如信息娱乐系统的辅助电源）中仍可有限使用。需注意避免在高温或高压波动剧烈的环境中单独依赖此类电容进行主要滤波任务。总体来看，1206B475K100NT凭借其合理的电气参数、成熟的工艺和广泛的供货渠道，已成为许多工程师在中低端滤波设计中的常用选型之一。

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　　 "GRM319R71A475KA12K",
　　 "C2012X7R1A475K125AE",
　　 "CL21A475KOANNNC",
　　 "TC316B475K100NT"
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