时间：2025/8/11 19:03:05
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FMOS07P02-H是一款P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和开关电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和较高的开关速度，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效能功率控制的场合。其封装形式为SOP（小外形封装），具有良好的散热性能，能够在较高的电流和电压条件下稳定工作。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-7A
导通电阻（RDS(on)）：≤30mΩ（@VGS=-4.5V）
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
FMOS07P02-H具有低导通电阻，使其在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。
该器件的高栅极电压容限（±12V）使其在不同的驱动条件下具有较好的稳定性。
其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
由于其SOP封装设计，FMOS07P02-H易于集成到PCB中，适用于自动化生产和小型化设计需求。
该器件广泛应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
在DC-DC转换器中，FMOS07P02-H可用作同步整流器或主开关元件，提高转换效率。
它也可用于电池保护电路，作为负载开关来控制电池与负载之间的连接。
在工业控制系统中，该MOSFET可用于电机驱动、继电器替代和电源分配等场合。
此外，该器件适用于LED驱动电路、电源适配器和充电管理模块等应用。
Si4467BDY-T1-GE3, AO4468, FDS6680, NTR4501NT1G
