时间：2025/9/16 14:40:16
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PMF170XP,115是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的小信号产品部门）制造的双P沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效电源管理和开关控制的电子设备中。该器件采用无铅封装，符合RoHS标准，适用于各种高密度电源设计。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.4A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP
PMF170XP,115具有低导通电阻和快速开关特性，使其在低电压和高电流应用中表现优异。该器件设计用于优化电池供电设备的能效，例如移动电话、便携式设备和计算机主板等。此外，其小型封装形式有助于节省PCB空间，并提供良好的热性能。MOSFET的P沟道结构允许其在逻辑电平控制下工作，简化了驱动电路的设计。
该器件的另一个关键特性是其高可靠性，能够在各种工作条件下保持稳定的性能。它还具备过热保护和短路耐受能力，适用于严苛的工业和汽车环境。
PMF170XP,115常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池充电和放电控制、以及各类便携式电子设备的节能设计。其高效率和小尺寸使其成为现代电子系统中不可或缺的组件。
SI7155DP-T1-GE3, BSS84P
