制造商：Texas Instruments
　　类型：UV-EPROM
　　存储容量：32 Kbit (4 KB)
　　组织结构：4K x 8
　　工艺技术：NMOS
　　最大存取时间：250 ns
　　工作电压：+5V ±10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：28-pin DIP（Ceramic Dual In-line Package）
　　窗口类型：石英窗（用于紫外线擦除）
　　编程电压：+21V 至 +25V（Vpp）
　　逻辑电平：TTL 兼容
　　静态功耗：典型值为130 mW（待机模式下更低）
　　编程电流：最大50 mA
　　数据保持时间：>10 年（典型）

AM2732A-25DMB具备多项关键特性，使其成为上世纪70年代末至90年代广泛应用的经典EPROM器件之一。首先，其250ns的快速存取时间确保了与当时主流微处理器如Intel 8085、Zilog Z80和Motorola 6800等的良好兼容性，能够在高频系统时钟下稳定运行，减少等待周期，提升整体系统性能。其次，该芯片采用+5V单电源供电，简化了系统电源设计，同时逻辑输入与TTL电平完全兼容，便于直接连接微控制器或地址/数据总线而无需额外电平转换电路。
　　另一个显著特性是其高可靠性编程机制。AM2732A-25DMB需要在编程时施加+21V至+25V的高压（Vpp）到Vpp引脚，以实现浮栅晶体管的电子注入，从而完成字节写入操作。这种高压编程方式有效防止了误写入，并增强了数据写入的准确性。编程过程通常由专用编程器或支持EPROM烧录功能的开发系统完成，每个位可通过雪崩注入机制独立编程。
　　此外，该器件采用陶瓷DIP封装并带有透明石英窗口，允许用户在需要修改程序时将芯片暴露于强紫外线光源（波长约253.7nm）下约15至30分钟，即可完成全片内容擦除。这一可重复擦写的特性极大地方便了研发阶段的固件调试与迭代。然而，在实际应用中需注意保护窗口免受环境光长期照射，以防数据缓慢丢失，通常建议在量产时使用不带窗口的OTP（一次性可编程）版本或贴上遮光标签。
　　AM2732A-25DMB还具备良好的抗干扰能力和宽温工作范围，适用于工业级环境。其静态功耗较低，在待机状态下仅消耗几毫瓦功率，有助于降低系统整体能耗。尽管现代系统已普遍转向Flash存储器，但AM2732A-25DMB因其简单性、耐用性和易于理解的操作原理，仍在教育、维修和复古计算领域保有重要地位。

AM2732A-25DMB主要用于需要非易失性程序存储且更新频率较低的电子系统中。一个典型应用场景是在早期微处理器系统中作为固件（firmware）存储器，例如在工业控制PLC、数控机床、打印机控制器和通信模块中存放启动代码或操作系统引导程序。由于其TTL兼容性和250ns的响应速度，它能够无缝集成到基于Z80、8085或6800架构的8位系统中，提供可靠的指令读取服务。
　　在教育和实验环境中，AM2732A-25DMB常被用于教学实验板或单板计算机上，帮助学生理解存储器寻址、总线操作和EPROM编程原理。配合通用编程器，学生可以亲手完成代码烧录、紫外线擦除和再编程的全过程，加深对非易失性存储技术的理解。
　　此外，该芯片也广泛用于老旧设备的维护与修复，尤其是在航空航天、医疗设备和军事装备的延寿项目中，当原始设计使用此类EPROM时，AM2732A-25DMB成为不可或缺的替换元件。虽然目前已有更先进的替代方案，但在无法更改硬件设计的情况下，该器件仍是唯一合规的选择。
　　在一些定制逻辑控制系统中，AM2732A-25DMB还可用于存储查找表（LUT）、字符生成ROM（如CG-ROM）或固定波形数据，尤其适合那些对成本敏感且无需动态更新的场合。尽管现代设计趋向于使用EEPROM或Flash，但该芯片的简单接口和高度稳定性使其在特定利基市场中依然具有实用价值。

27C32
　　MBM2732A-25L