LMUN2131LT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件,由德州仪器 (TI) 推出。它集成了驱动器和保护功能,适用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器设计。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET),能够显著提高功率密度并降低系统损耗。
LMUN2131LT1G 的设计使其在高频开关应用中表现出色,同时简化了电源系统的布局和散热管理。其封装形式为 QFN-8 封装(2mm x 2mm),非常适合空间受限的设计。
型号:LMUN2131LT1G
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
工作电压:650V
连续漏极电流:1.7A
导通电阻:130mΩ
栅极电荷:3.:-55°C 至 +150°C
封装:QFN-8 (2mm x 2mm)
最大开关频率:支持高达 2MHz
LMUN2131LT1G 具有以下主要特性:
1. 高效氮化镓技术:相比传统硅 MOSFET,该器件具备更低的导通电阻和栅极电荷,从而实现更高的转换效率。
2. 集成驱动器:内部集成驱动电路,可直接与脉宽调制 (PWM) 控制器连接,减少外围元件数量。
3. 快速开关速度:支持高达 2MHz 的开关频率,使得设计更紧凑且高效。
4. 强大的保护功能:内置过流保护、过温关断等功能,确保设备在异常情况下的安全运行。
5. 减小系统尺寸:由于支持高频操作,可以使用更小的磁性元件和滤波器,进一步缩小整体解决方案尺寸。
6. 简化的 PCB 布局:得益于其小型 QFN 封装和优化的引脚排列,便于进行高密度设计。
LMUN2131LT1G 广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子设备中的适配器和充电器:
- 手机快充头
- 笔记本电脑电源适配器
2. 工业电源:
- 开关电源 (SMPS)
- LED 驱动器
3. 数据中心:
- 服务器电源
- 电信电源
4. 可再生能源:
- 太阳能逆变器
- 储能系统
5. 汽车电子:
- 车载充电器 (OBC)
- DC/DC 转换器
LMG3411R070,
LMG3422R030,
GAN043-650WSA