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BAT42W-7 发布时间 时间:2025/12/26 10:11:54 查看 阅读:15

BAT42W-7是一种表面贴装的肖特基势垒二极管,由台湾半导体(Taiwan Semiconductor)生产。该器件采用SOD-323封装,具有小尺寸、高性能的特点,适用于空间受限的便携式电子设备。由于其低正向电压降和快速开关特性,BAT42W-7广泛用于信号整流、电压钳位、反向极性保护以及高频电路中。该二极管设计用于在低电压、低电流环境下高效工作,特别适合电池供电系统中的电源管理应用。其结构基于铂-硅接触形成的肖特基结,相较于传统的PN结二极管,具备更短的反向恢复时间与更低的导通损耗,从而提升了整体能效并减少了热耗散问题。此外,SOD-323封装支持自动贴片工艺,便于大规模生产组装,提高了制造效率和产品一致性。

参数

类型:肖特基二极管
  封装/外壳:SOD-323
  极性:单路
  配置:单体
  反向耐压(VRRM):30V
  最大平均整流电流(IO):200mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):500mA
  最大正向电压(VF):450mV @ 10mA, 25°C
  最大反向漏电流(IR):1μA @ 25V, 25°C
  反向恢复时间(trr):4ns
  工作结温范围:-65℃ ~ +125℃
  热阻抗(RθJA):350℃/W
  安装类型:表面贴装

特性

BAT42W-7的核心优势在于其卓越的高速开关性能与低功耗表现。
  该器件采用先进的肖特基势垒技术,利用金属-半导体结代替传统PN结,显著降低了正向导通电压,通常在10mA条件下仅为450mV左右,远低于标准硅二极管的0.7V水平。这一特性使其在微弱信号处理或低电压电源路径中能够有效减少能量损失,提高系统效率。尤其在便携式设备如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备中,对延长电池续航具有重要意义。
  另一个关键特性是其极短的反向恢复时间(trr),典型值仅为4纳秒。这意味着在高频切换操作中,例如开关电源的续流路径或高频解调电路中,BAT42W-7几乎不会产生明显的反向恢复电荷,避免了由此引发的电磁干扰(EMI)和额外功耗。这种快速响应能力也使其成为理想的选择用于高速数字信号的保护与整形。
  SOD-323封装提供了紧凑的物理尺寸(约1.7mm × 1.25mm × 1.1mm),非常适合高密度PCB布局需求。该封装具备良好的热传导性能,并通过AEC-Q101等可靠性测试认证,确保在温度循环、湿度和机械应力环境下仍保持稳定电气性能。此外,器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于绿色电子产品制造。
  BAT42W-7还表现出优异的反向漏电流控制能力,在25°C时最大仅为1μA@25V,有助于维持待机模式下的低静态功耗。尽管随着温度升高漏电流会有所增加,但在常规工作范围内依然保持在可接受水平。综合来看,该二极管在小型化、高效能和高可靠性之间实现了良好平衡,是现代消费类电子和通信模块中不可或缺的基础元件之一。

应用

BAT42W-7常用于各类便携式电子设备中的电源管理与信号处理电路。典型应用场景包括:手机及平板电脑中的电池充放电保护电路,用于防止反向电流流入损坏充电IC;在USB接口、音频插孔等I/O端口提供静电释放(ESD)防护与电压钳位功能;作为高频开关电源中的续流二极管或阻断二极管,提升转换效率;在无线模块(如Wi-Fi、Bluetooth、NFC)中实现射频信号检测与解调;还可用于传感器信号调理电路中进行电平偏移限制与噪声抑制。此外,因其快速响应特性,也被广泛应用于数字逻辑电路中的信号整形与隔离。

替代型号

BAS40-04W-7
  RB751S-40
  SMS340A-TP
  MBR0220T1G
  PMGS211EP

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BAT42W-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 200mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)5ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 25V
  • 电容@ Vr, F10pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称BAT42WBAT42WCTBAT42WCT-NDBAT42WDICT