类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-323（SMT）
　　齐纳电压（Vz）：8.2V
　　最大耗散功率（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大反向电流（Izmax）：约20mA（典型值）

LMTZJ8.2C 的主要特性之一是其精确的齐纳电压控制能力，确保在额定电流范围内提供稳定的8.2V参考电压。其SOD-323封装结构紧凑，有助于节省PCB空间，适合自动化装配工艺。
　　此外，该器件具备较低的动态阻抗，能够有效抑制电压波动，提高电路稳定性。LMTZJ8.2C 还具有良好的温度系数，通常在+2mV/°C左右，确保在不同工作温度下电压参考的准确性。
　　该齐纳二极管还具有快速响应时间，适用于需要快速稳压调整的电路环境。此外，其低漏电流特性在反向截止状态下可降低功耗，提高整体能效。
　　由于其高可靠性，LMTZJ8.2C 常用于便携式设备、消费电子、工业控制系统、测量仪器以及汽车电子等领域。

LMTZJ8.2C 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中，例如电源模块的基准电压源、模拟电路中的电压偏置、ADC/DAC参考电压、电池管理系统中的电压监控等。
　　此外，它也可用于过压保护电路中，作为钳位元件来限制电压峰值，保护后续电路免受损坏。在信号调节电路中，LMTZJ8.2C 可作为稳压元件，确保输入信号在安全范围内。
　　在数字电路中，它可以作为上拉或下拉电阻配合使用，以确保逻辑电平稳定。在嵌入式系统和微控制器应用中，该器件常用于提供精确的电压参考以确保系统运行的稳定性。
　　由于其SMT封装的特性，LMTZJ8.2C 也广泛应用于高密度PCB设计和自动化生产流程中。

MM3Z8V2B, BZT55-C8V2, MMSZ5237B