电容：0.22μF (224)
　　容差：±10%
　　额定电压：25V
　　电介质材料：X5R
　　封装类型：SMD
　　尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　温度范围：-55°C ~ +85°C
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　工作模式：直流

CM316W5R224K25AT 多层陶瓷电容器采用了先进的陶瓷材料与制造工艺，确保了其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其X5R电介质材料提供了良好的温度稳定性，电容值随温度的变化较小，适用于需要稳定性能的电路。此外，该电容器的低ESR特性使其在高频应用中表现出色，能够有效减少电路中的能量损耗和发热问题。CM316W5R224K25AT的高电容密度设计，使其在有限的空间内提供较大的电容量，非常适合空间受限的高密度电路板设计。由于其SMD封装结构，该电容器能够通过回流焊工艺进行安装，简化了生产流程，提高了装配效率。
　　此外，CM316W5R224K25AT具有良好的机械强度和抗热冲击能力，能够在多种环境条件下保持稳定的工作性能。其符合RoHS环保标准，无铅且不含其他有害物质，适用于环保要求较高的电子产品。该电容器的高可靠性使其在长时间运行中不易发生性能衰减，为系统提供长期稳定的电容支持。

CM316W5R224K25AT 多层陶瓷电容器广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理电路、DC-DC转换器、滤波电路以及去耦电路等。在电源管理模块中，该电容器可用于输入和输出端的滤波，提高电源的稳定性和效率。在DC-DC转换器中，CM316W5R224K25AT可以作为输入电容和输出电容，帮助减少电压波动和纹波。此外，该电容器还常用于信号处理电路中的耦合和旁路功能，确保信号的完整性。由于其SMD封装形式，CM316W5R224K25AT也常用于高密度PCB设计，如通信设备、消费类电子产品、汽车电子以及工业控制设备等。无论是在高频开关电源还是低噪声放大器电路中，该电容器都能提供稳定可靠的性能支持。

TDK C3216X5R2E224K160AC, Murata GRM31CR52A224KA88L, Samsung CL21B224KBAN