LMSZ4702ET1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMD)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压应用。该器件采用 SOD-123 封装,具有小尺寸、低功耗和高稳定性的特点,适用于便携式电子设备、电源管理电路以及电压保护电路等场景。LMSZ4702ET1G 提供了精确的齐纳电压调节能力,是工业级应用中常用的电压参考元件。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOD-123
齐纳电压:2.4V 至 55V(具体电压值根据后缀不同而变化)
最大耗散功率:300 mW
最大齐纳电流:200 mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
引脚数:2
极性:单向
最大反向漏电流:100 nA(典型值)
齐纳阻抗:100 Ω(典型值)
LMSZ4702ET1G 齐纳二极管具有多项优异特性,适用于多种电压调节和基准电压应用。
首先,其采用 SOD-123 表面贴装封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用,特别适合空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。这种封装方式也提高了制造过程中的自动化程度,降低了生产成本。
其次,LMSZ4702ET1G 的齐纳电压覆盖范围较广,从 2.4V 到 55V 不等,用户可以根据具体应用需求选择合适的电压版本。这种灵活性使其能够广泛应用于不同类型的电子系统中,包括电源管理、电压检测、过压保护等场景。
此外,该器件的最大功耗为 300 mW,最大齐纳电流可达 200 mA,具备良好的热稳定性和负载能力。即使在高电流工作条件下,LMSZ4702ET1G 也能保持稳定的电压输出,确保系统的可靠性。
LMSZ4702ET1G 还具有较低的反向漏电流(典型值为 100 nA),这在低功耗设计中尤为重要,有助于减少不必要的能量损耗。同时,其齐纳阻抗较低(典型值为 100 Ω),能够在负载变化时维持输出电压的稳定性,提升系统的动态响应能力。
最后,该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,适合在极端环境条件下使用,如汽车电子、工业控制和户外设备等应用场景。其高可靠性和宽温度范围使其成为工业级设计中的理想选择。
LMSZ4702ET1G 主要应用于需要电压调节和参考电压的电子电路中。
在电源管理系统中,该齐纳二极管可用于构建低成本的电压参考源,为比较器、运算放大器或其他模拟电路提供稳定电压。由于其电压范围宽广,可适配多种电路需求,是模拟电路设计中的关键元件。
在过压保护电路中,LMSZ4702ET1G 可作为钳位器件,防止电路中的瞬态电压对敏感元件造成损害。其快速响应特性和稳定的击穿电压使其在保护电路中表现优异。
此外,该器件也常用于电池供电设备中的电压检测电路,用于监测电池电压水平,确保设备在低电压情况下能够及时关闭或切换至备用电源。
在工业控制系统中,LMSZ4702ET1G 可用于传感器信号调理电路中的参考电压源,确保测量精度。其宽工作温度范围和高稳定性使其在恶劣工业环境中依然可靠运行。
在汽车电子系统中,该齐纳二极管可用于 ECU(电子控制单元)、车载充电器和电池管理系统中,作为电压参考或保护元件,确保系统的稳定性和安全性。
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"MMZ4702B",
"BZX84-C2V4",
"ZMM2V4",
"1N4702A"
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