容量：8GB
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.8V
　　数据速率：1600Mbps
　　接口：x32
　　温度范围：商业级（0°C至85°C）

H5TQ8G43MMR-PBC 是一款专为高性能需求而设计的DRAM芯片，其主要特性包括高容量、高速数据传输和低功耗设计。
　　首先，该芯片的存储容量为8GB，能够满足现代移动设备和嵌入式系统对大容量内存的需求。这对于处理高分辨率图像、大型应用和多任务处理尤为重要。
　　其次，H5TQ8G43MMR-PBC 支持高达1600Mbps的数据传输速率，确保了数据在处理器和内存之间的快速流动，从而提高了整体系统性能。这使得它非常适合用于高性能计算设备，如高端智能手机、平板电脑以及车载信息娱乐系统（IVI）等。
　　此外，该芯片采用1.8V的工作电压，具有较低的功耗特性，有助于延长电池供电设备的使用时间。在移动设备中，低功耗对于提升续航能力和减少热量产生至关重要。
　　该DRAM芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，提供了良好的电气性能和热管理能力。这种封装方式也有助于节省PCB空间，提高设备的集成度。
　　最后，H5TQ8G43MMR-PBC 的工作温度范围为商业级（0°C至85°C），适用于大多数常规电子设备的工作环境。

H5TQ8G43MMR-PBC 主要用于高性能移动设备和嵌入式系统中，如高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备和网络设备等。在这些应用中，它能够提供可靠的大容量内存支持，满足复杂应用对高速数据处理的需求。

H9TQ8G43AMR-PCB, K3UH8G44MM1-PA1C