时间：2025/9/1 12:35:24
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HY27U1G8F2BTR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片。该芯片具有1Gbit的存储容量，采用8位I/O接口设计，适用于需要高可靠性和高性能存储的应用场景。该芯片封装为TSOP（薄型小外形封装），适用于各种便携式电子设备和嵌入式系统。
容量：1Gbit
接口：8位NAND接口
电压：2.7V至3.6V
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
封装尺寸：48-Pin TSOP
读取时间：最大50ns
写入时间：最大50ns
访问时间：最大50ns
HY27U1G8F2BTR 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，广泛用于需要大容量非易失性存储的设备中。该芯片支持快速读写操作，访问时间低至50ns，能够满足高速数据存储的需求。其宽电压范围（2.7V至3.6V）确保了在不同电源条件下都能稳定运行，适用于多种电源管理系统。此外，该芯片支持标准的NAND闪存接口协议，便于与各种控制器集成。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的温度适应性，能够在各种工业环境和恶劣条件下稳定运行。其TSOP封装设计有助于减少PCB空间占用，同时保持良好的散热性能，适用于便携式设备和嵌入式系统的设计。HY27U1G8F2BTR 还支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读写过程中自动检测和纠正错误，提高数据存储的可靠性和稳定性，适用于对数据完整性要求较高的应用场合。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费类电子产品（如MP3播放器、数码相机、USB存储设备）以及车载电子系统中。由于其高可靠性和宽温度范围，特别适用于需要长期稳定运行的工业和车载应用。
K9F1G08U0B-PCB0, NAND1G-SLC, MT29F1G08ABAF
