时间：2025/8/13 16:02:33
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LMSD103BT1G-HW 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高性能开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供优异的导通性能和快速的开关速度，广泛用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：3.5A
漏源极电压（VDS）：30V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.125Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
LMSD103BT1G-HW具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的Trench结构优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，使其适用于高频开关电路。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适用于苛刻的工业和汽车电子环境。
该器件的SOT-223封装形式提供了良好的散热性能，适用于需要较高功率密度的设计。此外，LMSD103BT1G-HW还具有良好的栅极电荷特性，有助于减少驱动电路的功耗，提高整体能效。这些特点使得该MOSFET在各类电源管理应用中表现出色。
LMSD103BT1G-HW广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路。
NDS355AN, FDS6680, AO3400, Si2302DS
