类型：NPN晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：150V
　　最大集电极-基极电压：160V
　　最大基极电流：5mA
　　最大耗散功率：300mW
　　过渡频率：100MHz
　　增益带宽积：100MHz
　　电流增益（hFE）：在IE=2mA时，典型值为80至600（根据等级不同而变化）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

LMMBT5551SLT1G具备出色的高频性能，使其成为射频放大器和高速开关电路的理想选择。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。该晶体管的高击穿电压特性（VCEO=150V）使其适用于高电压环境下的应用，例如高压开关和驱动电路。
　　此外，LMMBT5551SLT1G具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C），因此可以在极端温度条件下可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。该晶体管的低噪声特性也使其适用于前置放大器和其他低噪声要求的应用场景。
　　由于其hFE（电流增益）范围广泛（80至600），LMMBT5551SLT1G能够适应不同的偏置条件和电路设计需求。该器件的增益带宽积为100MHz，确保其在高频放大应用中的稳定性与性能。同时，该晶体管的低饱和电压特性有助于减少功耗，提高电路的能效。

LMMBT5551SLT1G主要应用于射频（RF）放大器、高速开关电路、前置放大器、电压调节电路以及汽车电子系统。此外，该晶体管还适用于需要高频率响应的通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中的信号放大和处理电路。
　　具体应用包括无线基站中的射频放大器、数据通信设备中的信号开关、电源管理电路中的高速驱动器、以及音频放大器中的前置放大级。由于其优异的高频性能和可靠性，该晶体管也被广泛用于测试和测量设备中的关键电路部分。

BC550, 2N5551, PN2222A, BC817