时间：2025/8/2 2:35:08
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3DG40005AS-H是一款高性能的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），专为高效率、高频率的功率转换应用而设计。该器件基于先进的GaN-on-SiC技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热管理能力。3DG40005AS-H适用于广泛的应用，如服务器电源、电信设备、电动汽车充电系统以及工业电源系统等。其高功率密度和高可靠性使其成为传统硅基功率器件的理想替代品。
类型：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）
封装形式：表面贴装（SMD）
最大漏源电压（VDS）：650V
最大连续漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：50mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装尺寸：12mm x 12mm
栅极电荷（Qg）：15nC
漏源击穿电压（BVDSS）：650V
最大工作频率：10MHz
热阻（RθJC）：0.35°C/W
3DG40005AS-H具备多项显著的性能优势，首先是其采用的GaN-on-SiC技术，这种材料组合不仅提高了器件的导热性能，还显著增强了其在高频工作下的稳定性与效率。其次，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），仅为50mΩ，这使得在大电流应用中能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，3DG40005AS-H具备快速开关能力，支持高达10MHz的工作频率，适用于高频率的功率转换器和DC-DC变换器，有助于减小磁性元件的尺寸，提高系统的功率密度。
该器件的封装设计优化了热管理性能，热阻（RθJC）仅为0.35°C/W，能够有效将热量从芯片传导至散热器，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的性能。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够在各种恶劣环境下可靠运行。此外，3DG40005AS-H还具备出色的抗瞬态电压能力，BVDSS达到650V，能够在高电压条件下保持稳定工作，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
为了提高系统的可靠性和简化设计，3DG40005AS-H在内部集成了优化的栅极驱动电路，降低了外部驱动电路的复杂性。其栅极电荷（Qg）仅为15nC，有助于减少开关损耗，提高动态响应速度。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供更高的安全裕量，延长设备的使用寿命。
3DG40005AS-H广泛应用于高效能电源系统，包括服务器电源、电信基础设施、工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电器、储能系统以及高频DC-DC转换器等。此外，它也非常适合用于需要高功率密度和高效率的48V电源架构，如数据中心的电源模块和5G通信设备的供电系统。由于其优异的热管理和高频性能，该器件还适用于激光驱动器、医疗成像设备和其他高精度工业控制设备的电源设计。
EPC2206, GS66508T, LMG5200, SiC621, 3DG40004AS-H
