电容值：0.47μF
　　容差：±10%
　　额定电压：25V
　　温度特性：X5R（-55°C to +85°C, ΔC/C: ±15%）
　　封装尺寸：0603（1608公制）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　尺寸（长×宽×高）：1.6mm × 0.8mm × 0.8mm
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降
　　老化特性：典型X5R材料每年电容值减少约2.5%
　　ESR（等效串联电阻）：低（具体值依赖频率）
　　ESL（等效串联电感）：低
　　包装形式：编带（Tape and Reel）

LMK107BJ474KA-T采用先进的多层陶瓷制造工艺，具有优异的电学稳定性和机械强度。其内部结构由交替堆叠的陶瓷介质和内电极构成，形成多个并联的微型电容器，从而实现高电容密度与低等效串联电感（ESL）的结合，特别适用于高频去耦应用。该器件使用的X5R型介电材料在较宽的温度范围内（-55°C至+85°C）保持相对稳定的电容值变化（最大±15%），虽然不如C0G/NP0材料那样恒定，但相较于X7R或Y5V已具备较好的热稳定性，因此适合大多数非精密但要求一定温度适应性的场合。
　　该电容器具备良好的直流偏压响应特性，在施加接近额定电压的直流偏置时，仍能维持较高比例的标称电容值。例如，在25V工作电压下，实际可用电容可能保留60%-70%左右，这取决于具体的批次与工艺优化水平。这一特性对于电源轨去耦尤为重要，因为许多系统在3.3V或5V供电时需要稳定的去耦能力，而电容值的大幅衰减会降低滤波效果。通过优化介质配方和层间结构设计，村田在该系列中实现了优于行业平均水平的偏压性能。
　　在高频性能方面，由于0603封装本身具有较小的物理尺寸，其自谐振频率（SRF）通常位于百MHz到GHz级别之间，使得它能够在高速数字电路中有效滤除高频噪声。同时，其低等效串联电阻（ESR）有助于减少功率损耗并提高纹波电流承受能力，延长系统寿命。此外，该器件经过严格的老化测试和湿度耐久性验证，确保在复杂环境下的长期可靠性。其端电极为镍阻挡层加锡外镀层（Ni-Sn），兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的需求。整体而言，LMK107BJ474KA-T是一款兼顾性能、尺寸与成本的理想选择，尤其适用于移动设备、嵌入式处理器供电网络及DC-DC转换器输出滤波环节。

LMK107BJ474KA-T广泛应用于各类需要中等电容值且对空间有严格要求的电子设备中。常见用途包括微处理器和ASIC的电源去耦，用于稳定核心电压并吸收瞬态电流波动，防止电压塌陷导致系统异常。在开关电源（SMPS）电路中，该电容器常用于输入滤波和输出平滑环节，配合电感构成LC滤波网络，以降低输出纹波电压，提升电源质量。此外，它也被大量用于DC-DC降压或升压模块的输入输出端，提供局部储能和高频噪声旁路功能。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，由于主板布局高度紧凑，0603封装的LMK107BJ474KA-T因其小体积和高可靠性成为主流选择。它还适用于各类通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝模块）中的信号耦合与去耦，帮助隔离交流噪声并传递有用信号。在工业控制和汽车电子领域，尽管该型号并非专为AEC-Q200认证设计，但在非严苛环境下仍可用于辅助电源电路或接口保护电路中。
　　此外，该器件也适用于传感器信号调理电路、ADC/DAC参考电压旁路、音频放大器耦合电路等模拟应用场景。其稳定的温度特性和较低的漏电流使其能在多种工作条件下保持良好性能。总体来看，该电容器适用于所有需要0.47μF/25V X5R MLCC的通用场景，特别是在追求高集成度和自动化生产的现代电子产品中表现出色。

GRM188R71E474KA01D
　　CL21B474KAQNNNE
　　C1608X5R1E474K080AE
　　EMK107BJ474KA-TR