类型：GaN功率器件
　　拓扑结构：半桥
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　导通电阻（RDS(on)）：25 mΩ
　　最大连续漏极电流：30 A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　集成驱动器：是
　　保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定

LMG3650R025具有多项先进的性能特点。首先，采用GaN技术使其具备极低的导通电阻和极快的开关速度，从而显著降低开关损耗并提高整体系统效率。该器件的25 mΩ导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的传导损耗。集成的驱动器优化了GaN FET的开关性能，同时简化了外部电路设计。
　　此外，LMG3650R025内置多重保护功能，包括逐周期过流保护（OCP）、过温保护（OTP）以及欠压锁定（UVLO），确保器件在各种异常条件下都能安全运行。这些智能保护机制不仅提高了系统的可靠性，还减少了外部保护电路的复杂性。
　　该器件的半桥拓扑结构适用于多种拓扑，如降压、升压、半桥和全桥转换器，特别适合高频开关应用。其紧凑的封装设计支持高功率密度设计，适用于空间受限的应用场景。

LMG3650R025广泛应用于高效电源转换系统，如服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器、工业电源、电动汽车充电系统以及高密度DC-DC转换器。由于其高效率和高速开关特性，它也常用于需要高频工作的谐振转换器和准谐振转换器中。此外，该器件还可用于电机驱动、UPS系统和储能系统等需要高效能功率转换的场合。

LMG3650R035