AON6572是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于消费电子、计算机及外设、通信设备等领域的电源管理应用。
该芯片主要应用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场景。其封装形式为小型化的SOT-23封装,有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±8V
持续漏极电流(Id):4.9A
导通电阻(Rds(on)):180mΩ(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷(Qg):4nC
总功耗(Ptot):550mW
工作温度范围(Topr):-55℃至+150℃
AON6572具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输并减少了发热。
2. 高速开关性能使得其非常适合高频DC-DC转换器应用。
3. 小尺寸SOT-23封装便于在紧凑设计中使用。
4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
5. 宽泛的工作温度范围使其能够适应多种环境条件下的应用需求。
AON6572广泛应用于各种领域中的功率控制场景,包括但不限于:
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. 各类便携式电子产品的电池管理系统。
3. 消费类电子产品的电源适配器和充电器。
4. 工业设备中的小型化电源模块。
5. LED驱动电路以及各类DC-DC转换器设计。
AON6508, AON6510, AON6511