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AON6572 发布时间 时间:2025/4/28 20:14:02 查看 阅读:1

AON6572是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于消费电子、计算机及外设、通信设备等领域的电源管理应用。
  该芯片主要应用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场景。其封装形式为小型化的SOT-23封装,有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  持续漏极电流(Id):4.9A
  导通电阻(Rds(on)):180mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):4nC
  总功耗(Ptot):550mW
  工作温度范围(Topr):-55℃至+150℃

特性

AON6572具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输并减少了发热。
  2. 高速开关性能使得其非常适合高频DC-DC转换器应用。
  3. 小尺寸SOT-23封装便于在紧凑设计中使用。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 宽泛的工作温度范围使其能够适应多种环境条件下的应用需求。

应用

AON6572广泛应用于各种领域中的功率控制场景,包括但不限于:
  1. 移动设备中的负载开关控制。
  2. 各类便携式电子产品的电池管理系统。
  3. 消费类电子产品的电源适配器和充电器。
  4. 工业设备中的小型化电源模块。
  5. LED驱动电路以及各类DC-DC转换器设计。

替代型号

AON6508, AON6510, AON6511

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AON6572参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥2.69912卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)65 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3290 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),48W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线