时间：2025/8/13 18:07:09
阅读：11
JANSF2N7587U3 是一款由美国公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，属于军用规格（MIL-PRF-19500）系列，专为高可靠性应用设计。该器件适用于需要高效率和快速开关特性的场合，例如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等领域。JANSF2N7587U3 具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于极端环境下的稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：60V
最大连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：0.012Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
技术标准：MIL-PRF-19500（军用规格）
JANSF2N7587U3 的主要特性包括其低导通电阻，使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，提供了优异的开关性能，能够实现快速导通和关断，从而减少开关损耗。
此外，JANSF2N7587U3 符合军用规格（MIL-PRF-19500），具有高可靠性和稳定性，能够在极端温度和恶劣环境中长期运行。其封装形式为TO-263，便于表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率和散热性能。
该MOSFET的栅极驱动电压范围适中，通常在10V左右即可实现完全导通，适用于常见的栅极驱动电路设计。同时，其栅极阈值电压较低，确保了在较低的控制电压下仍能正常工作，提高了系统的兼容性和灵活性。
另外，JANSF2N7587U3 具有良好的热管理能力，能够在高功率应用中保持稳定的性能，减少因温度升高导致的性能下降。这种特性使得它在高密度电源设计和高温环境中表现出色。
JANSF2N7587U3 适用于多种高可靠性电源管理系统，包括DC-DC转换器、电源模块、电池管理系统（BMS）、电机控制和电源开关电路。在工业自动化和航空航天领域，该器件常用于高效率电源转换和高电流负载控制。此外，JANSF2N7587U3 也广泛应用于电信设备、测试仪器和高端消费类电子产品中，尤其是在需要高可靠性和高温稳定性的场合。
Si7461DP, IRF1010EZ, FDP6030L, STP100N6F6
