LMG3410R050 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率级集成电路,由德州仪器 (TI) 开发。该器件将驱动器和保护电路集成到单个封装中,旨在实现高效、高频率的电源转换应用。它专为硬开关和软开关拓扑而设计,例如图腾柱PFC、DC-DC转换器等。由于其卓越的性能和低损耗特性,LMG3410R050 成为了下一代高效电源解决方案的理想选择。
LMG3410R050 提供了快速开关速度和极低的导通电阻,这使其能够在高频工作条件下显著降低功率损耗,并提升系统效率。同时,该器件还内置了全面的保护功能,包括过流保护、过温保护和欠压锁定等功能。
型号:LMG3410R050
类型:GaN FET 功率级 IC
导通电阻 (Rds(on)):50 mΩ (典型值)
击穿电压 (BVDSS):600 V
栅极驱动电压:6 V
最大漏极电流:22 A (脉冲)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装:QFN-8 (3.5 mm × 3.5 mm)
开关频率:支持高达 MHz 级别
LMG3410R050 的主要特性包括:
1. 集成 GaN FET 和驱动器:简化了系统设计并减少了外围元件的数量。
2. 极低的 Rds(on):在高负载条件下提供了较低的导通损耗。
3. 快速开关性能:支持高频操作,从而减小了磁性元件的尺寸。
4. 内置保护功能:增强了系统的可靠性和稳定性。
5. 小型封装:有助于提高功率密度,适用于紧凑型设计。
6. 宽电压范围:适合多种工业和消费类应用。
这些特性使 LMG3410R050 成为需要高性能和高效率的电源转换应用的首选方案。
LMG3410R050 广泛应用于以下领域:
1. 图腾柱无桥 PFC (功率因数校正) 转换器。
2. 高效 DC-DC 转换器。
3. 服务器和通信设备中的电源模块。
4. 工业电机驱动和逆变器。
5. 光伏逆变器和其他可再生能源应用。
6. 消费电子产品的适配器和充电器。
凭借其出色的性能和灵活性,LMG3410R050 可以满足各种不同功率等级和应用场景的需求。
LMG3411R030
LMG3411R070
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