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IS42S81600F-7TL 发布时间 时间:2025/9/1 8:41:07 查看 阅读:19

IS42S81600F-7TL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的16Mbit(1M x 16)动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于同步DRAM(Synchronous DRAM)类别。该器件广泛应用于需要中等容量存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费电子产品中。IS42S81600F-7TL采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,适用于紧凑型PCB布局设计。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,以确保数据在断电或低功耗模式下保持完整性。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1M x 16
  封装类型:TSOP
  电压范围:3.3V
  最大时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:同步(Synchronous)
  刷新模式:自动刷新、自刷新
  数据宽度:16位

特性

IS42S81600F-7TL具有多项优良的性能和设计特点,适用于多种高性能存储需求的应用场景。首先,该芯片支持高达166MHz的时钟频率,能够提供快速的数据访问速度,从而提高系统的整体性能。其同步接口设计使得控制信号与时钟同步,便于精确控制数据传输时序,减少系统延迟。
  其次,该DRAM芯片具有低功耗特性,适合对功耗敏感的应用环境。它支持多种低功耗模式,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh),在系统空闲或待机状态下,可以显著降低功耗,延长设备续航时间。
  此外,IS42S81600F-7TL采用3.3V供电电压,兼容主流的电源系统设计,降低了外围电路的复杂度。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。
  在可靠性方面,该芯片支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种恶劣环境条件下稳定运行。其数据宽度为16位,适用于需要并行处理的应用场景,如图像处理、数据缓存和网络通信等。

应用

IS42S81600F-7TL广泛应用于多种嵌入式系统和工业电子设备中。例如,在工业控制设备中,该芯片可作为高速缓存用于临时存储控制算法所需的数据和指令。在通信设备中,如路由器和交换机,该DRAM用于缓存网络数据包,提高数据转发效率。消费类电子产品如数字电视、机顶盒和多媒体播放器中也常使用该芯片作为视频和音频数据的缓冲存储器。
  此外,IS42S81600F-7TL还适用于需要大容量临时存储的测试设备、医疗仪器和自动化控制系统。由于其支持低功耗模式,因此在便携式设备如手持终端、POS机和数据采集设备中也具有良好的应用前景。其高稳定性和宽温工作范围使其在汽车电子系统中也具有一定的适用性。

替代型号

IS48C1616A-7TL, CY7C1380C-100BZC, MT48LC16M16A2B4-6A

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IS42S81600F-7TL参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度8 bit
  • 组织16 Mbit x 8
  • 封装 / 箱体TSOP-54
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间7 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流100 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108