H26M64003DQR 时间：2025/9/2 11:05:29 阅读：7

H26M64003DQR 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高速DRAM系列，常用于需要快速数据访问的电子设备中，例如计算机、嵌入式系统、工业设备和消费类电子产品。其设计目标是提供高性能、低功耗和高可靠性，适用于广泛的应用场景。

参数

容量：64 Mbit
　　组织结构：4M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　最大访问时间：5.4 ns
　　最大工作频率：166 MHz
　　数据保持时间：自动刷新模式下为64ms
　　接口类型：异步

特性

H26M64003DQR 的核心特性之一是其高速访问能力，访问时间仅为5.4 ns，支持高达166 MHz的工作频率，使其适用于需要快速数据读写的系统。该芯片采用异步接口设计，与控制器之间的通信灵活，无需严格的时钟同步，简化了系统设计。此外，H26M64003DQR 具备自动刷新功能，可在低功耗模式下维持数据完整性，确保长期运行的可靠性。
　　这款DRAM芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性，可在不同电源条件下稳定运行。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适合工业级应用，能够在严苛的环境条件下保持稳定性能。封装形式为54引脚TSOP，体积小且便于安装，适合高密度PCB布局。
　　H26M64003DQR 采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，尤其在待机或低功耗模式下能够显著减少能耗，延长设备的使用寿命。同时，该芯片具备高抗噪能力和良好的信号完整性，适用于对稳定性要求较高的工业控制系统、通信设备及消费电子产品。