H5DU2582GTR-J3CR 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能存储器,广泛应用于需要大容量内存和高速数据存取的设备中,例如个人计算机、服务器、网络设备和工业控制系统等。该型号属于DDR4 SDRAM(双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)类别,提供较高的数据传输速率和能效。
容量:8Gb(1G x 8)
类型:DDR4 SDRAM
电压:1.2V(VDD/VDDQ)
时钟频率:最大可达3200MHz
数据速率:3200Mbps(Gbps)
封装类型:FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)
封装尺寸:根据具体封装要求,一般为特定的毫米级尺寸
工作温度范围:工业级温度范围(-40°C至+85°C)
接口电压:1.2V
刷新周期:64ms
数据总线宽度:8位(x8)
H5DU2582GTR-J3CR 是一款高性能的DDR4 SDRAM芯片,具有多个显著的特性和优势。首先,该芯片采用了先进的DDR4技术,使其能够在较低的电压(1.2V)下运行,从而显著降低了功耗并提高了能效,这在对能源效率要求较高的应用中尤为重要。
其次,该芯片支持高达3200Mbps的数据速率,确保了高速的数据传输能力,适用于高性能计算和数据密集型应用。此外,该芯片采用了x8数据总线宽度设计,使其在存储密度和性能之间达到了良好的平衡,适合需要高可靠性和数据完整性的应用环境。
在封装方面,H5DU2582GTR-J3CR 使用了FBGA(细间距球栅阵列)封装技术,这种封装方式不仅提供了良好的散热性能,还提高了芯片在高频操作下的稳定性,同时减小了PCB布局的复杂性。
该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行,因此非常适合工业自动化、网络设备和嵌入式系统等应用。此外,该芯片支持标准的DDR4 SDRAM功能,包括自动刷新、自刷新、突发长度控制、延迟锁定环(DLL)等功能,以提高内存访问的稳定性和效率。
综上所述,H5DU2582GTR-J3CR 是一款适用于多种高性能存储应用的DDR4 SDRAM芯片,具备高速度、低功耗、高可靠性和宽温度范围等优点。
H5DU2582GTR-J3CR 通常应用于需要高性能和低功耗内存的设备中。例如,该芯片可以用于个人电脑和笔记本电脑中,以提升系统运行速度和多任务处理能力。在服务器和数据中心领域,该芯片的高速数据传输能力和低功耗特性有助于提高计算效率并降低能源消耗。此外,该芯片也适用于网络设备(如路由器和交换机),确保高速数据转发和稳定的网络连接。在工业自动化和嵌入式系统中,由于其宽温度范围和高可靠性,该芯片可以在恶劣的工业环境中稳定运行。此外,H5DU2582GTR-J3CR 还可用于图形处理单元(GPU)、游戏主机、高端嵌入式系统和高性能计算设备。
H5DU2582GTR-J3C