时间：2025/5/21 10:35:02
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BSL207SPH6327是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于低电压、高效率的开关电路。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合在功率管理、负载开关以及电机驱动等场景中使用。
这款MOSFET的封装形式为SOT-23-3L，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。其出色的性能使其成为消费电子、通信设备及工业控制等领域中的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
总功耗：480mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 小型化封装（SOT-23-3L），节省PCB空间。
3. 较高的电流承载能力，能够适应多种应用需求。
4. 快速开关速度，减少开关损耗。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 可靠性高，适用于各种恶劣环境。
1. 手机及平板电脑中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 电机驱动与控制。
4. LED照明驱动电路。
5. 开关电源适配器中的同步整流。
6. 数据通信接口保护。
AO3400A
