时间：2025/5/22 20:25:38
阅读：16
WPH4003-1E是一款高性能的功率MOSFET，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适合于高频开关应用场景。其优化的封装设计有助于改善散热性能，从而提升整体系统的可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：18nC
总电容：120pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
WPH4003-1E的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为4mΩ，可有效减少导通损耗。
2. 快速开关性能，具备较低的栅极电荷和输出电容，适用于高频应用。
3. 高度可靠的热稳定性，能够承受极端温度环境。
4. 小尺寸封装（通常为TO-252或DPAK），节省PCB空间的同时提供出色的散热能力。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
WPH4003-1E广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器，例如降压或升压拓扑。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动控制电路。
5. 各种消费类电子产品的保护电路及功率管理模块。
由于其高效的特性和紧凑的设计，这款MOSFET特别适合便携式设备和其他对尺寸敏感的应用场景。
IRF7406TRPBF, FDP5800
