NZ5760DTR1 时间：2025/5/29 20:37:23 阅读：14

NZ5760DTR1是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率开关器件，广泛应用于高频率、高效率的电源转换系统中。其设计旨在提供卓越的开关性能和低导通电阻，适用于各类高频DC-DC转换器、适配器以及快速充电解决方案。
　　该器件采用先进的封装工艺，能够显著减少寄生电感和热阻的影响，从而提高整体系统的效率和可靠性。

参数

型号：NZ5760DTR1
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.7Ω（典型值，在Vgs=6V时）
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　功耗：8W（最大值）
　　工作温度范围：-40°C至+1TO-252（DPAK）

特性

NZ5760DTR1的核心优势在于其利用氮化镓材料的宽禁带特性，实现了比传统硅基MOSFET更高的开关速度和更低的导通损耗。这使得它在高频应用中表现出色，能够有效降低系统中的能量损耗。
　　此外，该器件还具备以下特点：
　　1. 极低的输出电容（Coss），有助于减少开关损耗。
　　2. 快速的开关过渡时间，适合高频操作。
　　3. 内置ESD保护电路，提升抗静电能力。
　　4. 高度可靠的制造工艺，确保长期稳定运行。
　　这些特性使NZ5760DTR1成为现代高效电源转换器的理想5760DTR1主要应用于需要高效率和高频工作的场景，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路。
　　2. DC-DC转换器，包括隔离式和非隔离式拓扑结构。
　　3. USB-PD快充适配器。
　　4. 工业自动化设备中的高频逆变器。
　　5. LED驱动器和其他便携式电子设备的电源管理模块。
　　由于其出色的性能，这款器件特别适合那些对小型化和高效率有严格要求的设计项目。